专注电子元器件应用为相关行业提供原装电子元器件
全国咨询热线：138-138-75926
MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体
金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectricmaterial）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectricconstant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。
当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基（如图）时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversionlayer）。
MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载流子（majoritycarrier）的源极以及接受这些多数载流子的漏极。
苏公网安备 32011402010520号
